Рис. 3. Малосигнальная (для низких уровней сигнала) эквивалентная схема полупроводникового диода с р — n-переходом: rp-n — нелинейное сопротивление р — n-перехода; rб — сопротивление объёма полупроводника (базы диода); ryт — сопротивление поверхностных утечек; СБ — барьерная ёмкость р — n-перехода; Сдиф — диффузионная ёмкость, обусловленная накоплением подвижных зарядов в базе при прямом напряжении; Ск — ёмкость корпуса; Lк — индуктивность токоподводов; А и Б — выводы. Сплошной линией показано подключение элементов, относящихся к собственно р — n-переходу.