Иоффе Абрам Федорович [17(29).10.1880, Ромны Полтавской губ., — 14.10.1960, Ленинград], советский физик, академик АН СССР (1920; член-корреспондент 1918), вице-президент АН СССР (1926—29, 1942—45), Герой Социалистического Труда (1955). Член КПСС с 1942. В 1902 окончил Петербургский технологический институт и в 1905 Мюнхенский университет. В 1903—06 работал ассистентом В. К. Рентгена в Мюнхене, где получил учёную степень доктора философии. С 1906 в Петербургском (с 1924 — Ленинградский ) политехническом институте (в 1913—48 профессор). В 1913 ему была присвоена учёная степень магистра физики, а в 1915 за исследование упругих и электрических свойств кварца — степень доктора физики. С 1918 руководитель организованного по его предложению физико-технического отдела Государственного рентгенологического и радиологического института в Петрограде, а затем до 1951 директор Физико-технического института АН СССР, созданного на основе этого отдела. С 1952 директор Лаборатории полупроводников, с 1955 — Института полупроводников АН СССР. С 1932 И. — директор Физико-агрономического института, также организованного по его инициативе. По инициативе И. и при его участии были созданы физико-технические институты в Харькове, Днепропетровске, Свердловске, Томске.
В 1913 И. установил статистический характер вылета отдельных электронов при внешнем фотоэффекте. И. совместно с М. В. Кирпичёвой впервые выяснил механизм электропроводности ионных кристаллов (1916—1923). Совместно с сотрудниками Кирпичёвой и М. А. Левитской в 1924 получил важные результаты в области прочности и пластичности кристаллов. Было также показано, что прочность твёрдых тел повышается в сотни раз при устранении поверхностных микроскопических дефектов; это привело к разработке высокопрочных материалов (1942—47). В исследованиях И. разработан рентгеновский метод изучения пластической деформации.
В 1931 И. впервые обратил внимание на необходимость изучения полупроводников как новых материалов для электроники и предпринял их всестороннее исследование. Им (совместно с А. В. Иоффе) была создана методика определения основных величин, характеризующих свойства полупроводников. Исследование И. и его школой электрических свойств полупроводников (1931—40) привело к созданию их научной классификации. Эти работы положили начало развитию новых областей полупроводниковой техники — термо- и фотоэлектрических генераторов и термоэлектрических холодильных устройств. В 1942 удостоен Государственной премии за исследования в области полупроводников. Важнейшая заслуга И. — создание школы физиков, из которой вышли многие крупные советские учёные (А. П. Александров, Л. А. Арцимович, П. Л. Капица, И. К. Кикоин, И. В. Курчатов, П. И. Лукирский, Н. Н. Семёнов, Я. И. Френкель и др.). Уделяя много внимания педагогическим вопросам, организовал новый тип физического факультета — физико-технический факультет для подготовки инженеров-физиков в Политехническом институте в Петрограде (1918). Награждён 3 орденами Ленина. В 1961 И. посмертно присуждена Ленинская премия. Почётный член многих АН и научных обществ мира.
Соч.: Физика кристаллов, М.—Л., 1929; Физика полупроводников, 2 изд., М.—Л., 1957; Основные представления современной физики, Л.—М., 1949.
Лит.: Френкель Я. И., Академик Абрам Федорович Иоффе (К 60-летию со дня рождения), «Вестник АН СССР», 1940, № 10; Сборник, посвященный семидесятилетию академика А. Ф. Иоффе, М., 1950; Кикоин И, К. и Соминский М. С., Абрам Федорович Иоффе (К восьмидесятилетию со дня рождения), «Успехи физических наук», 1960, т, 72. в. 2; Соминский М. С., Абрам Федорович Иоффе, М.—Л., 1964.
Л. Г. Дорфман.
А. Ф. Иоффе.